后道工艺

发布者:吴文一发布时间:2023-08-31浏览次数:106

后道Back-End ),工序分为封装和测试两大工序封装(Packaging)步骤依序为晶圆减薄(BackGrinding&Polish)晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检测(inspection)等。量子器件中心现有的后道设备包含减薄机,切割机,贴片机,打线机。

设备名称
工艺能力
工艺展示

减薄机

WG-1211

可容纳6英寸及以下样品背面减薄,用于硅、锗、砷化镓等硬脆材料的精密减薄,公差±10μm,减薄厚度200um

GaAs+GaAs键合样品减薄,减薄后厚度400um

抛光机

LM-400

可兼容4英寸及以下三五族化合物半导体衬底模块背面抛亮,样品厚度在300um以上,仅提供次氯酸钠抛光液实现微米级抛光

InP衬底抛光

切割机 

DAD3350

加工尺寸为最大Ø8英寸及其以下不规则样品。
加工物厚度(mm)0.1~1.5(需要配置不同的刀片)。
轴 进刀速度有效范围(mm/s) 0.1-600 / Y 轴 最小步进量(mm) 0.0001
定位精度(mm) 0.003 以内/260
轴 重复定位精度(mm) 0.001

通过配置不同的切割刀,能够对硅片、砷化镓、玻璃或其它加工材料进行机械切割加工

GaAs衬底切割

贴片机

ACCURA OPTO Flip Chip Bonder

±0.5μm 超高精度(贴装精度 Placement Accuracy±0.1μm,键合后精度Post Bond Accuracy±0.5μm),Force up to 1000grchip尺寸<20mm*20mm ,component尺寸<50mm*50mm

AlN衬底+ InP基光电探测器 Au Pad键合

打线机

Wire Bonder

可实现细金丝/铝丝45度键合,可键合线径25um

NbN薄膜,采用Al-Si线进行bonding




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