序号特气名称
Name
所用设备
Equipment
技术安全说明书
MSDS
存放位置
Location
1三氯化硼

高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机
等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机)
反应离子刻蚀机

BCl3-MSDS.pdf腐蚀有毒气体间
2八氟环丁烷

深硅刻蚀机

HBR刻蚀机

C4F8-MSDS.pdf惰性气体间
3甲烷

  等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机)

CH4-MSDS.pdf特气间
4三氟甲烷

ICP介质刻蚀机
反应离子刻蚀系统
反应离子刻蚀机

CHF3-MSDS.pdf惰性气体间
5氯气

高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机)
HBR刻蚀机
反应离子刻蚀机

Cl2-MSDS.pdf腐蚀有毒气体间
6二氯二氢硅

低压化学气相沉积系统(LPCVD)

SIH2CL2-MSDS.pdf洁净室负一楼
70.95%氟气+氪气+氖气

步进式光刻机(stepper)

0.95%F2+Kr+Ne-MSDS.pdf腐蚀性有毒气体间
8氢气

等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机)

反应离子刻蚀机

低压化学气相沉积系统(LPCVD)

H2-MSDS.pdf易燃易爆间
9溴化氢

HBR刻蚀机

HBr-MSDS.pdf腐蚀有毒气体间
101.2%氦混氮

步进式光刻机(stepper)

He(1.2%)+N2-MSDS.pdf
洁净室一楼
11氮气

高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机

等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机)

等离子去胶机(Asher)

反应离子刻蚀机

深硅刻蚀机

ICP介质刻蚀机(VERSALINE ICP)

原子层积系统ALD

HF干法刻蚀机(uEtch)

化学气相沉积系统(PECVD)

低压化学气相沉积系统(LPCVD)

步进式光刻机(stepper)

N2-MSDS.pdf洁净室, 腐蚀有毒气体间,易燃易爆间 ,特气间洁净室, 腐蚀有毒气体间,易燃易爆间 ,特气间
12一氧化二氮

化学气相沉积系统(PECVD)

N2O-MSDS.pdf惰性气体间
13氨气

原子层积系统ALD
化学气相沉积系统(PECVD)
低压化学气相沉积系统(LPCVD)

NH3-MSDS.pdf特气间
14磷烷(15%)+硅烷

低压化学气相沉积系统(LPCVD)

PH3(15%)+SiH4-MSDS.pdf特气间
15六氟化硫

高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机化学气相沉积系统(ICPCVD)
反应离子刻蚀系统

 等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机)

HBR刻蚀机

反应离子刻蚀机

深硅刻蚀机

ICP介质刻蚀机
SF6-MSDS.pdf惰性气体间
16硅烷

化学气相沉积系统(PECVD

化学气相沉积系统(ICPCVD)

低压化学气相沉积系统(LPCVD)

SiH4-MSDS.pdf特气间
17氟化氢

HF干法刻蚀机(uEtch)

HF-MSDS.pdf洁净室一楼
18氩气

化学气相沉积系统(ICPCVD)

反应离子刻蚀系统
等离子刻蚀系统(三五族刻蚀机)

HBR刻蚀机

等离子去胶机(Asher)

反应离子刻蚀机

高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机

深硅刻蚀机

ICP介质刻蚀机

原子层积系统ALD


惰性气体间
19氧气

化学气相沉积系统(ICPCVD)

反应离子刻蚀系统

等离子刻蚀系统(三五族刻蚀机)

HBR刻蚀机

等离子去胶机(Asher)

反应离子刻蚀机

高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机

深硅刻蚀机

ICP介质刻蚀机

原子层积系统ALD

氟化氙刻蚀仪XeF2 Etcher(e2)


惰性气体间
20四氟化碳

等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机)

化学气相沉积系统(PECVD

反应离子刻蚀系统
等离子去胶机(Asher)

反应离子刻蚀机

高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机

深硅刻蚀机

ICP介质刻蚀机


惰性气体间