论文
(1)方维政; 杨建荣; 陈新强; 王善力; 何力 ; 非掺杂p型MBE—Hg1—xCdxTe材料的受主性质, 红外与毫米波学报, 1998, 17(1): 25-30 (期刊论文)
(2)方维政; 王元樟; 巫艳; 刘从峰; 魏彦锋; 王庆学; 杨建荣; 何力 ; HgCdTe分子束外延薄膜的应变弛豫, 红外与毫米波学报,2004, 23(5): 325-328 (期刊论文)
专利
(1)方维政; 徐琰; 孙士文; 周梅华; 刘从峰; 涂步华; 杨建荣; 何力 ; Ⅱ－Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法, 2006-5-26, 中国, ZL200610026935.2 (专利)
(2)方维政; 刘从峰; 魏彦峰; 涂步华; 杨建荣 ; 带有预测化合物半导体合成裂管实时监控装置的合成炉, 2002-9-29, 中国,ZL02260417.0 (专利)
(3) 黄立;方维政; 刘伟华; 谭必松; 袁文辉; 梁红昱; 龚月; 余志杰 ; 大直径碲化镉或碲锌镉多晶棒料合成装置及制备方法,2013-7-17, 中国, ZL201310302172.X (专利)
(4) 崔晓攀;方维政; 张传杰; 徐华莲; 孙世文; 杨建荣 ; 一种检测碲锌镉材料缺陷空间延伸特性的方法, 2010-6-11, 中国,ZL201010198891.8 (专利)
(5) 王仍;方维政; 赵培; 张雷; 袁诗鑫; 张惠尔; 胡淑红; 戴宁 ; 锌镉碲单晶的生长和退火方法以及退火专用坩埚, 2007-12-21, 中国, CN200710172702.8 (专利)
(6) 杨建荣; 陈新强;方维政; 郭世平; 张小平; 于梅芳; 乔怡敏; 何力 ; 空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺及装置, 1996-4-26, 中国, CN96116340.2 (专利)
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