1. 本页面主要供用户查阅仪器设备信息，可点击具体模块进行搜索，或直接查找设备关键字。
2. 如需了解详细设备内容，请点击设备卡片More
3.如要查询某设备具体在超净实验室的位置，请点击“设备导航”菜单，通过设备编号查询。
1. 主要功能及特色：
采用以气态氟化氙（XeF2）作为主刻蚀气体，辅以N2或H2O提高选择比，对Si介质进行各向同性脉冲刻蚀。
2. 主要规格及技术指标：
最大样品尺寸：6寸晶圆 |
刻蚀均匀性：＜10% |
刻蚀速率：＞1μm/min |
选择比（SiO2/SiN）：＞100:1 |
3.服务内容：
提供用户自主操作、委托加工服务
设备状态良好，可供使用
工艺时间 | 工艺展示 | 内容和指标说明 |
2022.11.29 |
| 1μm SPR3612掩膜，etch20s，15cycle |
中心地址：上海市浦东新区海科路99号1号楼
联系方式：SQDL@shanghaitech.edu.cn
版权所有：上海科技大学材料器件中心版权所有
