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1. 主要功能及特色：
将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面，这种方式可使每次反应只沉积一层原子。
2. 主要规格及技术指标：
配置源瓶：TiCl4、H2O、TMA、Si源，Hf源 |
可生长膜层：Al2O3、HfO2、SiO2、TiO2、TiN |
最大样品尺寸：4寸晶圆 |
适用衬底：III-V族，硅及基于蓝宝石/SiC等非易挥发性衬底的III-V材料膜系 |
生长温度：20~300℃ |
生长速率：约0.8A/cycle |
均匀性：＜5% |
3.服务内容：
提供用户自主操作、委托加工服务
设备状态良好，可供使用
暂无
中心地址：上海市浦东新区海科路99号1号楼
联系方式：SQDL@shanghaitech.edu.cn
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