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1. 主要功能及特色：
低压化学气相沉积系统在半导体器件制造过程中，主要用于干湿法氧化/退火，沉积低应力氮化硅、掺杂/非掺杂多晶硅及磷硅玻璃薄膜。
2. 主要规格及技术指标：
沉积基片尺寸：4寸、6寸 |
炉管数量：4只炉管，T1、T2、T3、T4 |
炉管工艺：T1（干/湿法氧化硅，N2退火）；T2（氮化硅/低应力氮化硅）；T3（多晶硅/掺杂多晶硅）；T4（磷硅玻璃） |
沉积能力：最多50片4寸或6寸基片 |
沉积衬底：Si、石英等基底 |
3.服务内容：
委托加工服务
暂未开放（敬请期待）
中心地址：上海市浦东新区海科路99号1号楼
联系方式：SQDL@shanghaitech.edu.cn
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