上海科技大学量子器件中心副主任、高级工程师，工学博士。从事化合物半导体微纳芯片结构制造工艺研究，主持微纳制造研发线建设以及运维工作；曾任职中国科学院上海技术物理研究所研究员，开展碲锌镉红外衬底单晶材料生长及性能表征研究，开发出数项碲锌镉晶体材料加工关键设备和工艺，参与了多项涉及红外焦平面制冷探测器的国家重大项目。

1. 化合物半导体材料制备与表征

2. 化合物半导体材料改性研究
   

3. 功能器件微纳结构制造工艺研究

专硕在读学生：2023级1名、2024级3名

合作研究员：甄红楼、李宁、周靖、李天信等研究员（中国科学院上海技术物理研究所）

1.2023/09-2028/08，作为主持团队中一员承担“特种功能材料与微纳结构制造工艺库开发”项目，进行中

2.2020/01-2023/12，作为参加人员承担，国家自然科学基金面上项目，61975121，“InP基二类量子阱高速短波红外探测器的研究”项目，进行中;

3.2019/01-2022/12，作为参加人员承担，国家自然科学基金面上项目，61874073，“基于高磁致伸缩薄膜材料与磁电耦合的射频微机电回转器研究”项目，已结题;

4.2014/06-2017/05，主持武汉市东湖高新区第七批“3551光谷人才计划”项目，已结题;

5.2011/05-2016/06，作为主持团队核心成员主持，武汉高芯科技有限公司的“红外探测器产业化基地”项目，已结题;

6.2007/01-2009/12，作为主要人员参加，国家自然科学基金面上项目，60606026，“采用坩埚上升法生长高质量CdZnTe单晶体研究”，已结题;

7.2005/01-2006/12，主持中国科学院院装备研制项目，“碲锌镉固液界面实时监测单晶炉”，已结题;

8.2001/01-2005/12，作为主要人员参加，装备预先研究项目，“大面积碲镉汞材料外延薄膜和衬底材料技术研究”，已结题。

材料器件中心专硕招生专业：（085600，专业学位）材料与化工

招生年度：2023年起

1.  牵头负责统筹规划微纳米加工中心的组建；

2.  负责实验室的日常管理工作；

3.  统筹规划微纳制造科研平台承接的各类项目、教学课程以及对外合作；

4.  负责中心的整体运维和预算管理。

• 论文

(1)方维政; 杨建荣; 陈新强; 王善力; 何力 ; 非掺杂p型MBE—Hg1—xCdxTe材料的受主性质, 红外与毫米波学报, 1998, 17(1): 25-30 (期刊论文)

(2)方维政; 王元樟; 巫艳; 刘从峰; 魏彦锋; 王庆学; 杨建荣; 何力 ; HgCdTe分子束外延薄膜的应变弛豫, 红外与毫米波学报,2004, 23(5): 325-328 (期刊论文)

• 专利

(1)方维政; 徐琰; 孙士文; 周梅华; 刘从峰; 涂步华; 杨建荣; 何力 ; Ⅱ－Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法, 2006-5-26, 中国, ZL200610026935.2 (专利)

(2)方维政; 刘从峰; 魏彦峰; 涂步华; 杨建荣 ; 带有预测化合物半导体合成裂管实时监控装置的合成炉, 2002-9-29, 中国,ZL02260417.0 (专利)

(3) 黄立;方维政; 刘伟华; 谭必松; 袁文辉; 梁红昱; 龚月; 余志杰 ; 大直径碲化镉或碲锌镉多晶棒料合成装置及制备方法,2013-7-17, 中国, ZL201310302172.X (专利)

(4) 崔晓攀;方维政; 张传杰; 徐华莲; 孙世文; 杨建荣 ; 一种检测碲锌镉材料缺陷空间延伸特性的方法, 2010-6-11, 中国,ZL201010198891.8 (专利)

(5) 王仍;方维政; 赵培; 张雷; 袁诗鑫; 张惠尔; 胡淑红; 戴宁 ; 锌镉碲单晶的生长和退火方法以及退火专用坩埚, 2007-12-21, 中国, CN200710172702.8 (专利)

(6) 杨建荣; 陈新强;方维政; 郭世平; 张小平; 于梅芳; 乔怡敏; 何力 ; 空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺及装置, 1996-4-26, 中国, CN96116340.2 (专利)