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| 刻蚀均匀性 <=2% (4寸晶圆，SiO2膜）。 |
1.主要功能及特色：
通过预真空室把样品传入工艺腔，并固定在载片工件台上。工艺气体Ar，利用辉光放电原理将氩气Ar分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用 。属纯物理刻蚀。
配Hiden Analytical Ltd品牌，SIMS二次离子质谱仪终点检测系统，与设备控制融合，自动识别终点。属于物理刻蚀，可以刻蚀各种材料。
2. 主要规格及技术指标：
| 最大样品尺寸直径4英寸晶圆； |
| 工艺腔本底真空<=5e-7 mbar; |
| 预真空室本底真空<=1e-6 mbar; |
| 离子束有效束径 >=218mm； |
| 离子束最大束压，不低于1000eV，最大束流密度可达1mA/cm2； |
| 载片工件台，可旋转，转速可调，转速 5-20RPM； |
| 载片工件台，角度可倾斜，倾斜角度可调，范围 90~~ -45度，精度+/-0.1度； |
| 配HIDEN Analytical Ltd 品牌，SIMS二次离子质谱仪终点监测系统； |
| SIMS自动识别终点和设备控制融合； |
| 刻蚀速率低至15nm/min (4寸晶圆，SiO2膜）； |
3.主要配置：
离子束刻蚀主机，真空反应腔室，离子束源，真空系统，控制系统 ，真空进样装置loadlock，SIMS二次离子质谱仪终点监测系统。
4.服务：
提供设备自主操作培训、对外委托加工等服务
设备状态良好，可供使用
1.主要针对仪器操作步骤、注意事项等进行培训
2.培训方式：请到SQDL日历中查阅与报名
暂无
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